発明・特許出願リスト
平成15年
高温フッ化アンモニウム溶液によるSi表面処理方法、佐々木健（広島エルピーダ）、高萩隆行、坂上弘之、出願特願2004-036991
ダイヤモンド微粒子液状組成物及びその製造方法、膜状物及びこの膜状物を用いた電子部品,
科学技術振興事業団 ローツェ株式会社 大研化学工業（株）、高萩隆行、坂上弘之、新宮原正三、富本博之、櫻井俊男、内山昌彦、石川佐千子、特願2003-361401(2003/10/22）
低誘電率膜、電子部品及び低誘電率膜の製造方法、科学技術振興機構 ローツェ株式会社、高萩隆行、坂上弘之、新宮原正三、富本博之、櫻井俊男、特願2003-304153 （2003/8/8）
低誘電率膜及びこれを用いた電子部品、科学技術振興機構 ローツェ株式会社、高萩隆行、坂上弘之、新宮原正三、富本博之、櫻井俊男、特願2003-276147(2003/7/17）
平成14年
回路基板とその配線形成方法、三菱マテリアル、林 芳昌、高萩隆行、新宮原正三、坂上弘之、細田雅和、特願2002−273093（2002/9/19）
ダイヤモンド粒子の精製方法及び高純度ダイヤモンド粒子、科学技術振興事業団、大研化学工業株式会社、高萩隆行、坂上弘之、新宮原正三、石川佐千子、富本博之、特願2003-29483（2003/2/6）
超伝導を備えたプローバ装置および超伝導磁石の冷却、科学技術振興事業団、新宮原正三、特願2002-262065（2002/9/6）
無電解めっき方法、埋め込み配線の形成方法、及び埋め込み配線、半導体理工学研究センター（STARC）、新宮原正三、坂上弘之、高萩隆行、特願2002-262724（2002/9/9）
無電解めっき方法、埋め込み配線の形成方法、及び埋め込み配線、半導体理工学研究センター（STARC）、新宮原正三、坂上弘之、高萩隆行,
米国出願：出願番号10/233605（2002/9/4）韓国出願：出願番号2002-0054922（2002/9/11）台湾出願：出願番号91119970(2002/9/2)
ダイヤモンド微粒子の高純度化法, 科学技術振興事業団、大研化学工業株式会社、高萩隆行、坂上弘之、新宮原正三、石川佐千子、富本博之、特願 2003-29483（2003/02）
平成13年
多層配線形成方法、半導体理工学研究センター、新宮原正三、坂上弘之、高萩隆行、出願番号：2001-309885（2001/10/5）
回路基盤とその製造方法、発明者 坂上弘之、高萩隆行、新宮原正三、特願2001-90876
半導体集積回路装置及びその製造方法、科学技術振興事業団 凸版印刷（株） 緒方工業(株) （株）熊防メタル （株）野田市電子、新宮原正三 馬場知幸 古屋明彦 王増林 安田敬一郎 池田秀雄 萩原宗明、特願2002-2683（2002/1/9）
平成12年以降
回路基板とその金属配線形成方法、高萩隆行、新宮原正三、坂上弘之、特願2000-332309
多層配線構造の製造方法及びその構造、新宮原正三、高萩隆行、坂上弘之、特願2000-292311
メッキ装置およびメッキ方法、新宮原正三、近藤信樹、秋山邦夫、特願2000-307305
回路基板とその製造方法、坂上弘之、高萩隆行、新宮原正三、特願2000-29361
超伝導体及びその製造方法、発明者 野中務、石谷炯、高萩隆行、特願4-17813
フタロシアニン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜、発明者 野中務、石谷炯、高萩隆行、特願4-196773
ポルフィリン薄膜の製造方法、発明者 野中務、石谷炯、高萩隆行、特願平4-308513
ポルフィリン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜、発明者 野中務、石谷炯、高萩隆行、特願平4-68398
シリコン固体表面への有機分子の植え付け方法、発明者 高萩隆行、石谷炯、特願平2-78427、特許第1890227号
シリコン固体表面へのパターン形成法、発明者 高萩隆行、石谷炯、特願昭63-292069、特許第1986099号
真空蒸着装置、発明者 服部伸太郎、石谷炯、高萩隆行、特願昭62-308426
Vacuum Deposition Apparatus、発明者 服部伸太郎、石谷炯、高萩隆行、EPC特許出願No.88311500.
真空蒸着装置、発明者 服部伸太郎、石谷炯、高萩隆行、US 5007372
シリコン固体表面の不活性化方法、発明者 高萩隆行、石谷炯、特願昭63-249418、特許第2674802号