平成16年度以降（更新準備中）
平成15年度
国際会議発表
(1)H. Sakaue, Y. Taniguchi, Y. Okamura, S. Shingubara, and T. Takahagi, "Wet treatment for preparing atomiccally smooth Si(100) wafer surface", 9th International Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-9), p. 46 (Madrid, Sep. 15-19, 2003).
(2)H. Sakaue, Y. Taniguchi, Y. Okamura, S. Shingubara, and T. Takahagi,"Preparation of atmic-scale level smooth Si(100) surface using wet treatment", 7th International Conf. on Atomically Controlled Surfaces,Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7), p. 228 (Nara, Nov. 16-20, 2003).
(3)S.Shingubara, K.Morimoto, M.Nagayanagi, T.Shimizu, O.Yaegashi, H.Sakaue, and T.Takahagi,“Aspect Ratio Dependence of Hysterisys Property of 50 Nm Pitch Co Wire ArrayBuried In Porous Alumina Template. ”Material Research Society Fall Meeting,(2003) USA.
(4)S. Shingubara T. Shimizu, K. Morimoto, M. Nagayanagi, Y. Fujii, O. Yaegashi,G. R. Wu,H. Sakaue, and T. Takahagi, “Formation of Ultra High DensityFerromagnetic Column Arrays Beyond 1 Tera Bit/inch2 by Porous Alumina Template”, MMM/Intermag Joint Conference, (2004) USA.
(5)S.Shingubara, K.Morimoto, M.Nagayanagi, T.Shimizu,O.Yaegashi, G.R.Wu, H. Sakaue, T. Takahagi and K.Takase, “Aspect Ratio Dependence Of Magnetic Hysterisys Property Of High Density Co Wire Array Buried In Porous Alumina Template” ,Int. Conf. of Magnetism, 2003, Italy
(6)S.Shingubara,K.Morimoto, M.Nagayanagi, T.Shimizu,O.Yaegashi, G.R.Wu, H. Sakaue, T. Takahagi and K.Takase, “Aspect Ratio Dependence Of Magnetic Hysterisys Property Of High Density Co Wire Array Buried In Porous Alumina Template” ,Int.Conf. of Magnetic Films and Surfaces 2003,Spain.
(7)T. Shimizu, K. Morimoto, M. Nagayanagi, Y. Fujii, O. Yaegashi, G. R. Wu, H. Sakaue, T. Takahagi and S. Shingubara, “Fabrication of Ultra High Density Ferromagnetic Column Arrays by Porous Alumina Template for Magnetic Recording Media”, Microprocess and Nanostructure Conf. 2003. Japan, pp.62-63 (2003).
(8)S,Shingubara "Fabrication of Nanostructures by self-organization methods" Relativistic Channeling and Relate
口頭発表
1. S.Shingubara, Z.Wang, O.Yaegashi, R.Obata, H.Sakaue, and T.Takahagi"Bottom-up Fill of Copper in High Aspect Ratio Via Holes by Electroless Plating" Technical Digest of IEEE IEDM, pp.147-150 (2003)
2. K.Oshima, T.Ishida, S.Miyazaki, T. Takahagi, and S. Shingubara "Off-time Dependence of Pulsed DC Electromigration MTF of Cu Multilevel Interconnection" Proc. of Int. Conf. On Solid State Devices and Materials 2003, pp.260-261.(2003).
3. Zenglin Wang*, Osamu Yaegashi, Hiroyuki Sakaue, Takayuki Takahagi and Shoso Shingubara"Electroless Copper Seed Activated by 1nm ICB-Pd Catalytic Layer for Fine Cu Interconnections" Proc. of Int. Conf. On Solid State Devices and Materials 2003, pp.456-457.(2003).
4. Shoso Shingubara, Zenglin Wang, Osamu Yaegashi, Hiroyuki Sakaue, and Takayuki Takahagi , "Formation of 10nm Continuous Cu Film in a Fine Hole by Electroless Plating for Seed Layer Application",Advanced Metallization Conference 2003,
国内学会発表
(1)岡村陽介、谷口豊、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行, "NH4F水溶液によるSi(100)原子レベル平坦表面の形成", 第50回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, p.853 (28a-P6-16) (横浜、2003年3月27日−30日)
(2)岡村陽介、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行、“湿式法によるSi(100)表面の原子レベル平坦化”、（３A11）（早稲田大学、2003年11月28日）
(3)富本博之、石川佐千子、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行, "低誘電率ポーラスダイヤ モンド膜の作製 −ダイヤモンドナノ粒子の高純度化−", 第50回応用物理学関係連合 講演会予稿集, No.2, p.913 (29a-ZG-1) (横浜、2003年3月27日−30日)
(4)富本博之、石川佐千子、桜井俊男、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行, "低誘電率ポーラスダイヤモンド膜の作製 −ポーラスダイヤモンド膜の電気特性の改善−", 第64回応用物理学学術講演会予稿集>, No.2, p.753 (1a-YB-3) (福岡、2003年月30日−9月2日)
(5)富本博之、石川佐千子、櫻井俊男、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行, "低誘電率ポーラスダイヤモンド膜の作製 −ポーラスダイヤモンド膜の電気特性の改善II−", 第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, (28p-P3-19)(八王子、2004年3月28日−31日)
(6)石川佐千子、富本博之、櫻井俊男、坂上弘之、新宮原正三、高萩隆行, "硝酸基を用いたダイヤモンドナノ粒子の高純度化技術の開発", 第51回応用物理学関係連合講演会予稿集, No.2, (28p-F-2)(八王子、2004年3月>28日−31日)
(7)清水智弘、森本昇、坂上弘之、高萩隆行、新宮原正三、「ポーラスアルミナに埋め込み形成した微細コバルト柱のＭ−Ｈ特性のアスペクト比依存性」,応用磁気学会講演会 （2003）
国内学会およびシンポジウム招待講演
高萩隆行、“シリコンウエハ表面の原子レベル制御とその評価”日本真空協会関西支部＆日本表面科学会関西支部合同セミナー２００３−表面スーパークリーニングとその評価技術最前線−、神戸大学、2003年8月31日。
平成14年度
招待講演
1. S. Shingubara, Z. Wang, H. Sakaue, and T. Takahagi "Direct Electroless Plating Of Copper On Metal Nitride Diffusion Barriers", The 19th VLSI Multilevel Interconnect Conference, (2002), p.147.Library of Congress No.89-644090., (Invited, Singapole、2002年11月19日)
2. S. Shingubara, Y. Murakami, K. Morimoto,W. G. Ri, and T. Takahagi "Aluminum Nanodot Array Formed By Anodic Oxidation And Its Conduction Properties" Photonics West 2003, Symp. of Quantum Sensing: Evolution and Revolution from Past to Future ( Invited, San Jose, USA、2003年1月30日)
3.S. Shingubara "Prospect of ULSI metal interconnections" ULSI Technology seminar, SEMI FOLUM JAPAN 2002, (2002) ,SEMI, pp.2_47-52. (2002, June), Osaka, Japan.
口頭発表
1.S. Shingubara, Y.Murakami, K.Morimoto, and T.Takahagi,"Formation of Aluminum Nanodot Array by Combination of Nano-indentation and Anodic Oxidation of Aluminum" , Proc. of Nano-7/Ecoss 2002, (2002), p.210. (Oral, Malmo, Sweden、2002年7月)
2.Z. Wang, H. Sakaue, S. Shingubara and T. Takahagi "Influence of Surface Oxide of Sputtered TaN Film on Displacement Plating of Cu" Extended Abstracts of the 2002 Solid State Devices and Materials p.46-47 (2002).(Oral, Nagoya、2002年9月)
3. Z. Wang, T. Ida, H. Sakaue, S. Shingubara, and T. Takahagi " Electroless Plating of Copper on Metal-Nitride Barrier Films"Electrochem. Soc. Symp., Oral Presentation , (2002)(Oral, Philadelphia, USA, 2002年5月)
4.S. Shingubara, Y. Murakami, K. Morimoto, W. G. Ri, and T. Takahagi "Aluminum nanodot array formed by Anodic Oxidation and its conduction properties" Extended Abstracts of the 2002 Solid State Devices and Materials p.266-267(2002). (Oral, Nagoya、2002年9月)
ポスター発表
1. S.Shingubara, Z.Wang, T.Ida, H.Sakaue, and T.Takahagi,"Direct Electroless Plating of Copper on Barrier Metals"Proc. of the 2002 Internaional Interconnect Conference, IEEE, (2002) p.176-1,78. (Poster, San Francisco, USA、2002年6月)
平成13年度
国際学会
1. Shoso Shingubara The 7th International Dielectrics & Conductors for ULSI Multilevel Interconnection Conference, "Recent Development of Cu Filing Technology", (2001,February) ,Santa Clara, USA
口頭発表
1. Z. Wang, T. Ida, H. Sawa, H. Sakaue, S. Shingubara and T. Takahagi "Direct Electroless Copper Plating on Barrier Metals without Pd Catalyst"Proc. of Advanvced Metallization Conference 2001,MRS Conf. Proc.ULSI-XVII (2002) pp.185-190. (Oral, Montreal, Canada、2001年10月)
2. S.Shingubara, S.Miyazaki, H.Sakaue, and T.Takahagi, "Evaluation of Temperature Rise Due to Joule Heating and Preliminary Investigation of I'ts Effect on Electromigration Reliability"American Institute of Physics Conf Proc.vol.612., "Stress Induced Phenomena in Metallization Sixth Workshop" (2002) pp.94-104.(Oral, Ithaca, USA、2001年7月)
ポスター発表
1. S. Miyazaki, H.Sakaue, S. Shingubara, and T .Takahagi " Investigation of interconnect temperature rise due to Joule heating and its effect on electromigration reliability"Extended Abstracts of the 2001 Intern. Con. on Solid State Devices and Materials, (2001), pp.412-413 (Poster, Tokyo、2001年9月)
2. Y.Murakami, S. Shingubara, H. Sakaue, and T. Takahagi ,"Formation of Aluminum Nano-Dot Array by The Use of Nano-indentation and Anodic Oxidation"Abstracts of Intern. Conf. on Microprocesses and Nanotechnology Conf. 2001, (2001) pp.166-167.(Poster, Matsue、2001年11月)
3. S. Shingubara, Y. Murakami, K. Morimoto, H. Sakaue, and T. Takahagi "Formation of Al Nanodot Array by the Combination of Nano-Indentation and Anodic Oxidation"Mat. Res. Soc. Symp. Proc. vol.705, (2002) pp.133-138. (Poster, Boston,USA、2001年12月)
4. H. Sakaue, N. Yoshimura, S. Shingubara and T. Takahagi "Improved Mechanical Strength of Porous Diamond Film by HCDS treatment"Proc. of Advanced Metallization Conference 2001, MRS Conf.Proc. ULSI-XVII (2002) pp.313-318. (Poster, Montreal,Canada、2001年10月)
5. T.Takahagi, S.Huang, G.Tsutsui, H.Sakaue, and S. Shingubara,"Fabrication of two- and three-dimensional structures o nanoparticles using LB method and DNA hybridization", Mat.Res.Soc.Symp.Proc. vol.704 (2002) pp.47-52.(Poster, Boston, USA、2001年12月)
平成12年度
招待講演
1. T. Takahagi, S. Shingubara and H. Sakaue“Wet Preparation of Defect-Free hydrogen-Terminated Silicon Wafer Surface and Its Characterization in Atomic-Scale”Proc. of Fifth International Symp. on Ultra Clean Processing of Silicon Surfaces (UCPSS2000), p.105-110,（Invited, Oostende, Belgium、2000年9月18日）
2. S. Shingubara The 5th National Nano Devices Laboratory workshop on Semiconductors,"Electromigration Reliability of ULSI Interconnects" (2000,November) , Hinchu, Taiwan
口頭発表
1. H.Sakaue, Y.Yoshimura, S.Shingubara, and T.Takahagi,"Low Dielectric Constant Porous Diamond Film Composed of Diamond Nano-Particles" Proc. of Advanced Metallization Conference 2000, Mat.Res.Soc. ULSI-XVI (2001) pp.647-652 Oral, Tokyo、2000年10月）
2. S. Shingubara, T. Ida, H.Sawa, H. Sakaue, and T. Takahagi "Effect of Pd Catalyst Adsorption on Cu Filling Characteristics in Electroless Plating"Proc. of Advanced Metallization Conference 2000, Mat.Res.Soc.ULSI-XVI (2001) pp.229-234（Oral,Tokyo、2000年10月）
ポスター発表
1.Y.Murakami,S.Shingubara, H.Sakaue, and T.Takahagi,"Al dot hexagonal array formation using anodic oxidation and selective etching"Proc. of Microprocesses and Nanotechnology 2000, (2000) pp. 178-179. （Poster,Tokyo、2000年10月）
2. S.Huang, G.Tsutsui, H.Sakaue, S.Shingubara, and T. Takahagi "A Large-scaled 2D array of Alkanethiol-encapsulated Gold Particles Fabricated Using Langmuir Blodgett Technique"Proc. of Microprocesses and Nanotechnology 2000, (2000) pp. 180-181. （Poster、Tokyo、2000年11月）