著書
Si(100)ウエハ表面の原子レベル制御とその評価, 高萩隆行、坂上弘之、谷口豊、岡村陽介、新宮原正三、真空Vol.47 No.2 Page.65-69 2004
「多層配線技術の最新動向 −銅配線／低誘電率膜−」 新宮原 正三 著 2002年12月発行 、EDリサーチ社、フォーカスレポート材料の評価の最前線、培風館(2001)､p193-198（高萩隆行）
ナノテクノロジーの基礎と応用：超微粒子の電子デバイス応用、空気清浄, Vo38,
No.4, (2000), p.238-244（高萩隆行）
新宮原正三，半導体大事典（分担執筆）工業調査会 (1999)
走査トンネル顕微鏡，原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による水素終端シリコン表面の分析, 高萩隆行, 坂上弘之, 真空 Vol.42, No.10 Page.886-891 1999
Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション信頼性, 新宮原正三， 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集Vol.56th Page.83-88 1999
実用分光シリーズ２ 赤外分光：半導体分析への応用、アイピーシー(1998)､p227-23（高萩隆行）
機能性材料科学：先端機能材料の表面科学、朝倉書店(1998)､p42-60（高萩隆行）
ウエハ表面完全性の創成・評価技術：原子レベル超清浄表面、サイエンスフォーラム(1998)､p82-89（高萩隆行）
「Cu配線技術の最新の展開」、リアライズ社、1998年 編集委員長 新宮原正三 分担執筆 pp.3-7, pp.80-87, pp.232-237シリコンウエハーの表面清浄化技術の最近の動向 シリコンウエハー表面有機汚染物の吸着挙動，高萩隆行, 応用物理 Vol.66,No.12 Page.131P‐1315 1997
ウェーハ表面のケミカル汚染と半導体デバイスへの影響 ウェーハ表面への有機物の吸着挙動とその分析，高萩隆行, クリーンテクノロジー Vol.7, No.10 Page.5‐10 1997
エレクトロマイグレーションを利用した自己組織的シナプス結合素子の研究(マツダ財団Ｓ), 新宮原正三, 坂上弘之, 堀池靖浩, マツダ財団研究報告書（科学技術振興関係）VOL.8 PAGE.87‐92 1996
コンタミネーションコントロール便覧：X線光電子分光法、オーム社(1996)､p505-506（高萩隆行）
新高分子実験学７−高分子の構造（３）分子分光法、共立出版(1996)､p377-426（高萩隆行）
Control of Monolayer Reaction of Hydrogen or Halogen Radicals with Silicon Surface., Horiike Y, Shingubara S, Sakaue H, リーラジカルの科学平成６年度第２年次研究報告書
極微細金属配線における高密度電子流に誘起される方向性原子移動現象の解明及び制御 平成５年度 （文部省Ｓ）, 新宮原正三, 極微細金属配線における高密度電子流に誘起される方向性原子移動現象の解明及び制御 平成５年度 No.03555061
アルミニウム配線中のボイドのエレクトロマイグレーション挙動の分子動力学シミュレーション , 新宮原正三, 宇都宮勇夫 , 藤井泰三, 電子情報通信学会論文誌 C-2 Vol.78, No.5 Page.294‐304 1995
直接加工及び反転層閉じこめによるシリコン量子細線の作成と伝導特性評価, 新宮原正三, 井上憲司, 松井康之, 助迫浩康, 坂上弘之, 高萩隆行, 堀池靖浩, 電気学会電子デバイス研究会資料 Vol.Edd-95, No.27-30 Page.11-18 1995
光・電子機能有機材料ハンドブック、朝倉書店(1995)､p160-162（高萩隆行）
特集 クリーンルームの微量汚染 有機物による表面汚染, 高萩隆行, 空気清浄 Vol.32, No.3 Page.192-200 1994
特集 64M/256M時代のｳｪｰﾊ分析技術 化学構造解析, 高萩隆行, 月刊Semiconductor World Vol.13, No.8 Page.90-96 1994
最近の機器分析ｼﾘｰｽﾞ XPS (ESCA), 高萩隆行, 繊維製品消費科vol.35, No.2 Page.74-80 1994
熱脱離(TDS)法, 高萩隆行，応用物理，Vol.63, No.2 Page.177-178 1994
シリコンウエハー表面の水素不活性化；超精密、3(1993)､p122?129（高萩隆行）
マイクロXPS； 各種分析手法によるサンプリング、試料調整法と前処理技術、技術情報社(1993)､p133-139（高萩隆行、中山陽一）
ESACA(XPS)法；２．、膜学実験シリーズ 第三巻 人工膜 第３章膜構造・物性測定、表面物性、３．３．２特定官能基、日本膜学会編、共立出版(1993)､p198?200（高萩隆行）
水素終端Si表面の評価, 高萩隆行, 電気学会電子材料研究会資料 Vol.Efm-92,No.34-37 Page.31-40 1992
招待講演 ﾄﾞﾗｲｴｯﾁﾝｸﾞの現状と展開, 堀池靖浩, 坂上弘之, 半導体･集積回路技術ｼﾝﾎﾟｼﾞｳﾑ講演論文集Vol.43rd Page.30-35 1992
Si表面処理法とその評価 表面有機物, 高萩隆行，応用物理 Vol.61,No.11 Page.1167-1168 1992
分子線蒸着法による有機超格子薄膜の作製とその構造評価 Siｳｪﾊｰ上のH2TPP/ZnTPP超格子薄膜, 野中敏央, 高萩隆行, 石谷炯, 電子情報通信学会技術研究報告Vol.92,No.229(OME92 22-32) Page.1-6 1992
SiﾌﾟﾛｾｽとSi-H FTIR-ATRによる表面反応過程の研究, 川村剛平, 石塚修一, 坂上弘之, 堀池靖浩, 表面科学 Vol.13, No.6 Page.358-364 1992
特集 表面 高分子表面の分析, 高萩隆行, 日本ｺﾞﾑ協会誌 Vol.65, No.5 Page.270-276 1992
特集 半導体ﾌﾟﾛｾｽ･材料･評価 3 水素不活性化Si表面の評価, 高萩隆行, 電気化学および工業物理化学 Vol.60, No.3 Page.175-179 1992
エックス線光電子分光法；１２月号別冊 絵でみる工業材料辞典、工業材料、40(1992)､p60（高萩隆行）
特集 0.5μmｴｯﾁﾝｸﾞ技術 ﾌﾟﾗｽﾞﾏｴｯﾁﾝｸﾞ反応と小型化ECR装置の研究, 堀池靖浩, 浅見一志, 北川英夫, 橋本哲朗, 山本治朗, 奈良井哲, 坂上弘之, 進藤春雄, 月刊Semiconductor World Vol.10, No.14 Page.120-126 1991
in-situ FTIR-ATR法を用いた表面反応研究，川村剛平, 石塚修一, 坂上弘之, 堀池靖浩,
電子情報通信学会技術研究報-.91,-.206(SDM91 88-97)-.21-25 1991
水素終端によるＳｉ単結晶表面の不活性化, 高萩隆行, 真空 Vol.33,No.11 Page.854-860 1990
Ｓｉ表面の不活性化, 高萩隆行, 応用物理 Vol.59,No.11 Page.1441-1450 1990
創造科学技術推進事業 1990 研究報告会(大阪) 講演要旨集 (新技術事業団S),
黒田晴雄, 榊裕之, 稲場文男, 前田篤志, 高萩隆行, 戸井田昌宏, 渡辺治夫, 宇佐史
創造科学技術推進事業 1990 ､究報告会(大阪) 講演要旨集 Page.119p 1990
水素ﾀｰﾐﾈｲﾄSi表面, 高萩隆行 (新技術開発事業団), 電子情報通信学会技術研究報告Vol.89, No.111(SDM89 34-48) Page.13-14 1989
創造科学技術推進事業 1988研究報告会 第1部講演要旨集(新技術開発事業団S)
稲場文男, 鈴木喜隆, 宇佐史, 西沢潤一, 黒田晴雄, 佐竹徹, 高萩隆行, 増原宏, 水谷純也, 創造科学技術推進事業 1988 研究報告会 第1部講演要旨集 Page.100p 1988
ＸＰＳによる高機能性工業材料の分析, 石谷炯, 福田尚央, 添田房美, 高萩隆行, 中山陽一, Ｘ線分析の進歩 Vol.19 Page.127-162 1988
界面と力学強度ＩＩＩ ＥＳＣＡによる充填材表面構造の解析, 高萩隆行, 石谷炯, 現代化学増刊 Vol.8 Page.158-163 1986
Ｘ線光電子分光法；高分子データハンドブック基礎編、５．高分子特性解析、５．３機器分析手法に基ずく特性解析、培風館(1986)､p674?683（高萩隆行、添田房美、石谷 炯）
分析オートメーション, 高萩隆行, 石谷炯, 高分子 Vol.34,No.12 Page.986-989 1985